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直通引腳開關(guān)實現(xiàn)通道密度與精度雙飛躍
在現(xiàn)代電子測試、半導(dǎo)體驗證及高精度數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)中，工程師們持續(xù)面臨著一個核心矛盾：如何在有限的空間內(nèi)集成更多的開關(guān)通道，同時不犧牲信號完整性、測量精度與系統(tǒng)散熱能力？傳統(tǒng)的分立開關(guān)方案已觸及 PCB 布局與熱管理的瓶頸。為此，一款采用革命性無源元件共封裝與直通引腳設(shè)計的精密開關(guān)應(yīng)運...
2025-12-18
先進封裝 直通引腳 開關(guān)通道密度 低導(dǎo)通電阻
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以 RK3506 為核：破解實時控制與系統(tǒng)適配難題
本文聚焦RK3506平臺，從多維度給出了針對性解決方案：無論是按需選擇Buildroot、Ubuntu 22.04 LTS還是Yocto Project構(gòu)建系統(tǒng)生態(tài)，以適配不同開發(fā)需求；亦或是通過AMP異構(gòu)實時方案與RT-Linux+核隔離的高端方案，分別滿足低成本硬實時控制與頂級工業(yè)實時要求；更有2秒極速啟動模式提升設(shè)備響應(yīng)價值。...
2025-12-18
核心板 實時控制 架構(gòu) RK3506 平臺
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DSP+DSA 架構(gòu)革新：安謀 “周易” X3 NPU 的技術(shù)密鑰
“算力墻”“內(nèi)存墻”“功耗墻”已成為制約智能終端實現(xiàn)更復(fù)雜AI任務(wù)與更高計算效率的核心問題。神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)處理器（NPU）作為支撐AI計算的核心硬件單元，是突破上述技術(shù)困局的關(guān)鍵支撐。安謀科技（Arm China）推出的“周易”X3 NPU IP，通過前瞻性的架構(gòu)創(chuàng)新、深度的軟硬件協(xié)同優(yōu)化及開放的生態(tài)構(gòu)建，為破解端...
2025-12-18
安謀科技 AI NPU
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微信截圖_20251216111120.png "CC-Link IE TSN 認證落地，ADI 兩款芯片引領(lǐng)工業(yè)網(wǎng)絡(luò)融合")
CC-Link IE TSN 認證落地，ADI 兩款芯片引領(lǐng)工業(yè)網(wǎng)絡(luò)融合
工業(yè)以太網(wǎng)的高效整合與精準調(diào)度已成為制造業(yè)數(shù)字化升級的核心需求。近日，ADI旗下兩款工業(yè)以太網(wǎng)時間敏感網(wǎng)絡(luò)（TSN）交換芯片ADIN6310與ADIN3310，成功通過CC-Link IE TSN標準認證。此項里程碑式成果，不僅充分印證了ADI芯片的卓越性能與技術(shù)可靠性，更為信息技術(shù)（IT）網(wǎng)絡(luò)與運營技術(shù)（OT）網(wǎng)絡(luò)的...
2025-12-18
ADI CC-Link TSN 智能工廠
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英飛凌 HYPERRAM?存儲芯片通過 AMD 驗證
全球半導(dǎo)體領(lǐng)域兩大領(lǐng)軍企業(yè)達成重要合作成果——英飛凌與AMD成功完成關(guān)鍵技術(shù)驗證，雙方聯(lián)合推出的存儲解決方案為嵌入式人工智能（AI）領(lǐng)域帶來突破性進展。英飛凌64MB HYPERRAM?存儲芯片及配套控制器IP，在AMD Spartan? UltraScale+? FPGA SCU35評估套件上的測試表現(xiàn)優(yōu)異為邊緣嵌入式AI應(yīng)用的研發(fā)及...
2025-12-18
存儲芯片 AMD UltraScale FPGA 英飛凌
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微信截圖_20251218104056.png "GHz 頻段的射頻功率測量方案：BAT62-02W 二極管傳感器制作")
GHz 頻段的射頻功率測量方案：BAT62-02W 二極管傳感器制作
在無線電技術(shù)實踐領(lǐng)域，GHz頻段設(shè)備的研發(fā)與制作常受困于信號測量。頻率與幅度作為射頻信號的核心表征參數(shù)，目前平價3GHz頻率計數(shù)器雖容易獲取，但射頻功率計成本較高難以普及。DL5NEG分享的技術(shù)方案提供了有效解決路徑：通過BAT62-02W二極管搭建低成本射頻功率傳感器，能將射頻信號轉(zhuǎn)為直流電壓以...
2025-12-18
BAT62-02W 二極管 傳感器 GHz 頻段設(shè)備 射頻功率計
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10nm以下DRAM，三星DRAM技術(shù)突破存儲行業(yè)版圖
10納米以下節(jié)點的技術(shù)突破成為行業(yè)發(fā)展的關(guān)鍵門檻。三星電子與三星綜合技術(shù)院聯(lián)手，在IEEE國際電子器件會議上公布了——可用于10納米以下制程DRAM的高耐熱核心技術(shù)，為這一領(lǐng)域帶來了歷史性突破。這項以非晶態(tài)銦鎵氧化物材料為核心的創(chuàng)新，不僅攻克了CoP架構(gòu)量產(chǎn)的高溫工藝難題，更以扎實的穩(wěn)定性數(shù)據(jù)...
2025-12-18
三星電子 DRAM 技術(shù) 半導(dǎo)體晶體管 存儲技術(shù)
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