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運放使用時高頻增益的制約因素
結電容的存在使得基極電流ib被旁路。從而使得真正流過發射結的基極電流ib′減小。而只有真正流過發射結的基極電流才會被放大。頻率越高，結電容的容抗就越小，則結電容的旁路作用就越顯著，晶體管的電流放大倍數β就越低，放大器的增益就越低。
2022-09-28
運放 結電容
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運放的頻率特性等效電路
由于各級電路的電路形式以及增益不同，故等效的RC時間常數也不同。輸出級為電壓跟隨器形式。其增益最低，但帶寬最寬(即RC低通截止頻率最高)。即RC時間常數最小。
2022-09-28
運放 等效電路
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如何將運算放大器用作差分放大器查找電壓值的電壓差
運算放大器最初是為模擬數學計算而開發的，從那時起，它們已被證明在許多設計應用中都很有用。正如我的教授所說的那樣，運算放大器是算術電壓計算器，它們可以使用求和放大器電路執行兩個給定電壓值的加法，并使用差分放大器執行兩個電壓值之間的差。除此之外，運算放大器還通常用作反相放大器和同...
2022-09-27
運算放大器 電壓差
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運算放大器的偏置電流及消除偏置電流影響
偏置電流在運放輸入端外部電阻后產生電壓會對使用者造成麻煩，產生系統誤差。比如對于一個同相單位增益緩沖電流，如果信號源電阻為 1MΩ，那么當 時，就會產生 10mV 的誤差，對于任何系統這個誤差都不能被忽略。
2022-09-27
運算放大器 偏置電流
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什么是dV/dt失效
如下圖（2）所示，dV/dt失效是由于MOSFET關斷時流經寄生電容Cds的瞬態充電電流流過基極電阻RB，導致寄生雙極晶體管的基極和發射極之間產生電位差VBE，使寄生雙極晶體管導通，引起短路并造成失效的現象。通常，dV/dt越大（越陡），VBE的電位差就越大，寄生雙極晶體管越容易導通，從而越容易發生失效...
2022-09-22
dV/dt失效 MOSFET
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什么是雪崩失效
當向MOSFET施加高于絕對最大額定值BVDSS的電壓時，就會發生擊穿。當施加高于BVDSS的高電場時，自由電子被加速并帶有很大的能量。這會導致碰撞電離，從而產生電子-空穴對。這種電子-空穴對呈雪崩式增加的現象稱為“雪崩擊穿”。在這種雪崩擊穿期間，與 MOSFET內部二極管電流呈反方向流動的電流稱為“雪...
2022-09-22
MOSFET 失效機理 雪崩擊穿
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![[技術淺談] 認識三端保險絲](http://image.cntronics.com/static/images/29_副本_cRvdn5u.png "[技術淺談] 認識三端保險絲")
[技術淺談] 認識三端保險絲
三端保險絲是芯片式表貼安裝產品，通常用于鋰離子電池組作為二次保護，使其在遭受過流與過壓風險時能夠及時動作，有效減少鋰離子電池因為過充、過放以及短路等故障導致的起火爆炸等情況，讓電路與器件損壞控制在盡量小的區域。
2022-09-21
三端保險絲 Littelfuse
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如何加強對Type-C數據線的充電保護？
USB Type-C（USB-C）電纜和連接器規范極大地簡化了實現互連和為數碼相機和超薄平板電腦等電子產品供電的方式（圖1）。該規范支持高達15W的USB-C充電應用，而USB-C功率傳輸（PD）將充電能力擴展至100W，包括各種可互換充電的設備。USB Type-C在系統保護方面帶來了新的挑戰。新連接器的間距比USB Micr...
2022-09-19
Type-C 數據線 充電保護
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揭秘SMD保險絲：尺寸雖然小，功能不打折，它們是如何做到的？
熱保險絲是最古老的電路保護裝置，目前仍在廣泛使用。人們已熟知這種產品，它可靠、一致、符合監管標準。然而，隨著最終產品的復雜性增加、尺寸縮小，設計人員需要為用戶可更換的保險絲和保險絲座找到一種替代產品，以減少外形尺寸，簡化裝配，提高堅固性并進一步增加安全性。
2022-09-16
SMD 保險絲 DigiKey
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