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碳化硅功率晶體的設計發展及驅動電壓限制
傳統上在高壓功率晶體的設計中，采用硅材料的功率晶體要達到低通態電阻，必須采用超級結技術（superjunction），利用電荷補償的方式使磊晶層（Epitaxial layer）內的垂直電場分布均勻，有效減少磊晶層厚度及其造成的通態電阻。
2021-10-25
碳化硅功率晶體 驅動電壓
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如何減少電容器聲音噪聲？
當在音頻范圍內的頻率下工作時，某些表面貼裝電容器會表現出噪聲。最近的設計使用10μF，35V X5R 1206陶瓷電容器，該電容器會產生明顯的聲音噪聲。要使這樣的板靜音，可以使用Murata和Kemet等制造商的聲學靜音電容器。
2021-10-25
電容器 噪聲
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帶有快速體二極管的MOSFET器件通過LLC拓撲和FREDFET來提高效率
鑒于全球能源危機，當前電子設備的重點是實現高功率與低能耗的結合。因此，許多電子公司都在提高其眾多產品規格中的效率標準。然而，常規的硬開關轉換器幾乎無法滿足這些要求。
2021-10-24
快速體二極管 MOSFET器件 LLC拓撲 FREDFET
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聚焦2021CISES，愛芯元智仇肖莘詳解AI技術為ISP發展帶來新轉機
近日，為期兩天的中國國際半導體高層峰會（CISES）在上海成功舉辦，作為全球規模最大的半導體制造產業年度盛會之一，峰會聚焦行業發展新動態、新趨勢、新產品，致力于為業界高端決策者及重要人士提供國際性合作交流平臺，使其快速了解主要市場和政府對半導體制造業的未來規劃，拓展更加廣闊的商業平...
2021-10-21
愛芯元智 AI技術 ISP
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瑞薩推出Renesas Ready合作伙伴網絡 為廣泛的MCU產品線提供商業級構建模塊
2021 年 10 月 20 日，日本東京訊 - 全球半導體解決方案供應商瑞薩電子集團（TSE：6723）今日宣布，推出全球化技術合作伙伴網絡——“Renesas Ready合作伙伴網絡（Renesas Ready Partner Network）”，為廣泛的MCU產品線提供商業級構建模塊。該網絡所帶來的廣泛解決方案面向下一代物聯網設計所需的重要...
2021-10-21
瑞薩 Renesas Ready合作伙伴網絡 MCU
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前端放大器中使用ESD二極管作為電壓鉗的設計
在輸入不受系統控制而是連接到外部世界的許多應用中，例如測試設備、儀器儀表和一些傳感設備，輸入電壓可能會超過前端放大器的ZD額定電壓。在這些應用中，必須實施保護方案以保持設計的生存范圍和穩健性。
2021-10-20
前端放大器 ESD二極管 電路設計
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智能資產追蹤標簽：包裹追蹤的未來
2018年底，我們當時正在考慮安排哪些同事前往2019 CES消費電子展參展，那時我們不知道這將是我們大多數人近幾年中最后一次親身參加的大型展會。那年早些時候，我們認識了一家總部位于美國加州伯克利的印刷電池制造商。他們的標志性產品是信用卡大小、厚度不到1毫米、靈活的一次性電池。
2021-10-19
智能 資產追蹤 包裹追蹤
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UWB技術的工作原理探討
要知道：超寬帶技術 (UWB) 是最佳定位跟蹤技術，您應該使用這項技術。沒了，感謝閱讀本書。當然，只是開個玩笑。我們可以說 UWB 是當今最好、最先進的定位技術，但證據呢？要回答這個問題，我們需要透過現象看本質。
2021-10-19
UWB技術 工作原理
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一文讀懂CAN節點錯誤管理機制
CAN節點的穩定性、可靠性和安全性得益于其強大的錯誤管理機制。那么，CAN節點為什么能感知錯誤？又是如何響應錯誤？您是否能清晰地想象出這一過程？本文將為大家詳細分析CAN節點錯誤管理的工作過程。
2021-10-19
CAN節點 管理機制
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