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SiR440DP/SiR866DP/SiR890DP：Vishay新型第三代功率MOSFET
日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）推出一款新型 20V n 通道器件，擴展了其第三代 TrenchFET功率MOSFET 系列。該器件采用 PowerPAK SO-8 封裝，在 20V 額定電壓時具有業界最低導通電阻及導通電阻與柵極電荷乘積。
2008-11-20
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ECL系列：Vishay最新高電容值高紋波電流SMD鋁電容器
日前，Vishay宣布推出新系列表面貼裝鋁電容器，這些器件可實現 +105°C 的高溫運行，具有低阻抗值以及高電容值及紋波電流。新型 ECL系列極化鋁電解電容器可在高密度 PCB 上實現表面貼裝，這些器件具有非故態、自修復的電解質。為實現高溫運行，其耐熱墊與模塑底板提供了更高的穩定性與保護。
2008-11-05
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SiR476DP/SiR892DP/SiR850DP ：Vishay新型功率MOSFET
日前，Vishay推出一款新型 25V n 通道器件，從而擴展了其 Gen III TrenchFET功率 MOSFET 系列，對于采用 PowerPAK SO-8 封裝類型且具有該額定電壓的器件而言，該器件具有業界最低的導通電阻以及導通電阻與柵極電荷之乘積。
2008-10-23
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電子元件：并購整合有利于低成本規模擴張
從近期行業最近動態來看，并購整合仍是業界的常態，較典型的有元件市場TDK與EPCOS二大巨頭合并、Vishay收購Kemet電容器生產線。
2008-10-21
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TSOP2X/4X/58X/59X系列：Vishay 5V紅外接收器升級產品
Vishay目前宣布，采用新一代集成電路升級5V紅外接收器的性能，可將器件敏感度提高15%，并增強脈寬精度。
2008-10-01
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MKP 339 X2/338 2 X2/336 2 X2：Vishay新型X2 EMI抑制薄膜電容器
Vishay目前宣布，推出三款最大電源電壓可升至310 VAC的新型X2 電磁干擾（EMI）抑制薄膜電容器，該電容器具有較寬的引腳腳距和電容值范圍。
2008-09-26
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SiE726DF：Vishay首款雙面冷卻30V功率MOSFET和肖特基二極管
Vishay目前宣布，推出業內首款采用具頂底散熱通路的封裝的30V單片功率MOSFET和肖特基二極管，該可在具有強迫通風冷卻功能的系統中高性能運作。新型SkyFET SiE726DF器件采用具有雙面冷卻功能的PolarPAK封裝，可提升高電流、高頻運用的效率。
2008-09-24
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VJ0805/1206/1210/1808/1812：Vishay的高可靠性MLCC
Vishay日前宣布，其 HVArc Guard表面貼裝 X7R 多層陶瓷片式電容器 (MLCC) 現可提供可選聚合體端子。該器件專為耐受較高機械應用而設計，旨在減少機械破碎相關的電容器故障。
2008-09-19
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VPR221Z/SZ ：Vishay 新型超高精度Z箔電阻
Vishay宣布推出新型 VPR221Z超高精度 Z 箔電阻。此新器件可提供 ±0.05ppm/°C及 ±0.2 ppm/°C的工業級別絕對 TCR、在 +25°C 時最多 8W 的額定功率、±4ppm/W （典型值）的優越功率系數（“自身散熱產生的 ?R”）及 ±0.01% 的容差。
2008-09-17
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VBUS054CV-HS3：Vishay新型4線ESD保護陣列
Vishay推出最新小型 4 線 ESD 保護陣列，該器件可在高浪涌電流情況下提供低電容，以保護兩個高速 USB 端口或四個其它高頻信號線，以免它們受到瞬態電壓信號的損壞。
2008-09-05
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VO3526：Vishay 新型1A輸出電流整合功率光敏可控硅
Vishay推出一款可輸出 1A 電流來驅動電阻及電感負載的整合功率光敏可控硅，從而拓寬了其光電子產品系列。由于消除了對外部功率 TRIAC 的需求，該器件可降低設計成本并節省板面空間。
2008-08-27
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VLMK82/VLMY82：Vishay高強度功率SMD LED
日前，Vishay推出采用 CLCC-2 扁平陶瓷封裝且具有 400mA 驅動電流的首個高強度淡黃色及黃色功率 SMD LED 系列。強大可靠且具有高光效率的 VLMK82.. 和VLMY82..器件具有 20K/W 的低熱阻以及 5600mcd～14000mcd 的高光功率，主要面向熱敏應用。
2008-08-27
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